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  公司以自主研发的离子源技术、等离子体源技术及高电压技术、自动控制技术、真空技术,先后开发了多种类型的材料表面处理设备及相关工艺,已广泛应用于机械加工、半导体、石油钻井、航空航天及生物医学领域,以国内领先的技术与产品性能获得用户的极高评。

两层型挠性覆铜板离子镀膜设备

  基本配置和技术参数 1.
真空室:本系统共有5个真空腔室,分别为放卷室、霍尔离子源清洗室、金属离子源注入室、直流磁过滤沉积室和收卷室。其中放卷、离子源清洗和离子源注入组


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  基本配置和技术参数 1.
真空室:本系统共有5个真空腔室,分别为放卷室、霍尔离子源清洗室、金属离子源注入室、直流磁过滤沉积室和收卷室。其中放卷、离子源清洗和离子源注入组


两层型挠性覆铜板离子镀膜设备


      

 


基本配置和技术参数

1、真空室:本系统共有5个真空腔室,分别为放卷室、霍尔离子源清洗室、金属离子源注入室、直流磁过滤沉积室和收卷室。其中放卷、离子源清洗和离子源注入组成独立立式方形腔体,中间有隔板,腔体尺寸为450X450X1650mm。左右腔室中间有方形连接管,两个腔室放置于同一支撑平台之上。霍尔离子源和金属源室在离子束远端安装有内水冷板,在直流磁过滤室冷鼓四周安装有内水冷版和可拆卸内衬。

2、真空抽气系统:5个腔体分别配备5套抽气系统。放卷室配备两台分子泵主抽,配备两台机械泵作为前级。其他腔室分别配备4套分子泵。极限真空可以优于5X10-4Pa,从大气到7X10-3Pa小于25分钟。


       

3、薄膜卷绕及控制系统:采用主动放卷及冷鼓恒速控制的三电机系统,在收卷及放卷侧加有张力传感及控制,中间用过轴导向。整套卷绕系统采用悬臂结构。

4、配备有真空测量和气体反馈系统

5、离子源的配备:采用一套条形阳极层霍尔离子源实现离子束清洗功能。离子束能量0-1000eV,离子束流0-2A。束有效长度大于300mm。采用一套MEVVA金属离子源,实现离子注入。采用两套直流磁过滤等离子体源,弧流在40-70A可调。

3、薄膜卷绕及控制系统:采用主动放卷及冷鼓恒速控制的三电机系统,在收卷及放卷侧加有张力传感及控制,中间用过轴导向。整套卷绕系统采用悬臂结构。

4、配备有真空测量和气体反馈系统

5、离子源的配备:采用一套条形阳极层霍尔离子源实现离子束清洗功能。离子束能量0-1000eV,离子束流0-2A。束有效长度大于300mm。采用一套MEVVA金属离子源,实现离子注入。采用两套直流磁过滤等离子体源,弧流在40-70A可调。